Multidisciplinary Journal of Science and Technology

ОПРЕДЕЛЕНИЯ ШИРИНА ЗАПРЕШЕННЫЙ ЗОНЫ ГЕРМАНИЯ

Али Абдреймов

Каракалпакский государственный университет имени Бердаха, ул. Ч.Абдиров №1, 742012 Нукус, Узбекистан.

Данияр Мадияров

Каракалпакский государственный университет имени Бердаха, ул. Ч.Абдиров №1, 742012 Нукус, Узбекистан.

Саятхан Ибраймова

Каракалпакский государственный университет имени Бердаха, ул. Ч.Абдиров №1, 742012 Нукус, Узбекистан

Аманлық Далибаев

Академический Лицей при Каракалпакском Государственном Университет, Нукус, просп. Аллаяра Досназарова, 18А. Нукус, Узбекистан

Keywords: ширина запрешенный зона, энергетические уровни

---

Abstract

Knowledge of the parameters characterizing any diodes or diode structures, and knowledge of the method of their analysis is one of the most important issues in semiconductor electronics, radio electronics, and telecommunications. The study of the causes of uneven current flow and its negative impact on performance in the production of semiconductor devices and the study of methods for solving them is one of the main problems of semiconductor electronics and is an urgent problem at the present time. The band gap of semiconductors has been calculated by several scientists, but differences in their values ​ ​ exist to within a few hundredths of an accuracy. In this article, the semiconductor structure of Ge was taken as an object of study and the band gap of germanium was determined. We determined the voltage drop across an undoped Ge crystal depending on temperature when a constant current passes through the crystal, calculated the conductivity, and determined the band gap Eg of germanium

---

References

1.Росадо Л.Д. Физическая электроника и микроэлектроника.-М.:Высш.шк., 1991.-351с

2.Иванов В.И., Аксенов А.И., Юшин А.М. Полкпроводниковые оптоэлектронные приборы справочник.-М.: Энергоатомиздат.1988.-448с 3.Дж. Займан. «Принципы теории твердого тела», изд-во «Мир», 1966.

4. Ч. К и т т е л ь. «Введение в физику твердого тела», изд-во ф.-м. литературы, 1962.

5. У. Xа ррисон. «Теория твердого тела», изд-во «Мир», 1972.

6. П. Киреев. «Физика полупроводников», изд-во «Высшая школа», 1969.

7. Р. Смит. «Полупроводники», изд-во иностранной литературы, 1962.

8.Г. Епифанов. «Физика твердого тела», изд-во «Высшая школа», 1965.

9. К Шалимова. «Физика полупроводников», изд-во «Энергия», 1971.

10. Г. Пикус. «Основы теории полупроводниковых-приборов», изд-во «Нау- ка», 1965.

11.Воробьев Л.Е.., Данилов С.Н., Ивченко Е. Л., Левинштейн М.Е. Фирсов Д.А., Шалыгин В.А. Кинетические и оптические явление в силных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах.Санкт-Петербург, Наука, 2000, с.102-109.

12. Темирбаева И. Мадияров Д. Нарымбетов Б.Ж. Кунназаров Б.Ж. Исследование образования иона N2O- пpи радиолизе рacтвopa закиси азота в жидком углеводороде методом фотопроводимости. УзР ФА ККБ «АХБОРОТНОМАСИ» журнали. №2 (267) 2022 г.