ПЕРЕХОДНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В СВЕРХТОНКОЙ ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ЯЧЕЙКЕ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИ (Multidisciplinary Journal of Science and Technology, 2024)
В настоящей работе исследованы переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке. Рассмотрены вопросы задержки пробоя газового разряда в импульсном режиме работы ячейки и электростатические явления переходных процессов. Установлено, что время задержки пробоя зависит от интенсивности освещения полупроводника, длительности и величины импульса напряжения, а также состояния поверхностного заряда, то есть напряженности поля поверхностных зарядов.