Published April 2, 2024
| Version v1
Journal article
Open
OСОБЕННОСТИ И ПЕРСПЕКТИВЫ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ФОТОННОЕ – ИНЖЕКЦИОННЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ТИРИСТОРОВ ДЛЯ МОДУЛЯЦИИ УСИЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРО ЛАЗЕРОВ
- 1. Наманганский инженерно-технологический институт, Наманган, Узбекистан
- 2. Республика Узбекистана МВД Наманганский академический лицей
Description
Приведены экспериментальные результаты по модуляции усиления полупроводникового гетеро лазера с раздельным ограничением импульсами тока, полученными при помощи фотонное-инжекционного импульсного тиристора (ФИИТ).
Экспериментальные результаты сравниваются с теоретическими расчётами, выполненными путем решения скоростных уравнений. Изучено влияние – параметров электрического сигнала и типа лазерной структуры на генерируемые оптические импульсы.
Files
577-583 Ж.З.Мирзарайимов new MJST.pdf
Files
(1.1 MB)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:bd654cc31c07dd55673dabbed1ea8d9a
|
1.1 MB | Preview Download |
Additional details
References
- 1. Paulus P., Langenharst R., Jager D. Generation and optimum control of picosecond optical pulses from gain-switched semiconductor lasers // IEEE J. Quant. Electron. – 1988. – Vol. 24, № 8. P. 1519-1523.
- 2. Голдобин М.С., Лукьянов В.Н.Б Пак Г.Т. и др. Гененирование и регистрация пикосекундных оптических импульсов при прямой токовой модуляции инжекционного гетеролазера. // Письма в ЭТФ. – 1985. – Т. II, № 14. – стр. 862-865.
- 3. Marcus R.B. Measurement of high - speed signals in solid - state devices. // Semiconductors and Semimetals. – Vol. 28. – Academic Press, 1990. 438 p.
- 4. Ермалицкий Ф.А., Костюкович Н.К., Прохоренко А.С. и др. Блок накачки пикосекундных инжекционных гетеролазеров. // ПТЭ. – 1990. - № 2. – стр. 246.
- 5. Алфёров Ж.И., Ефанов В.М., Задиронов Ю.М. и др. Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной GaAs – AlGaAs гетероструктуры. // Письма в ЖТФ. – 1988. – Т. 12 - № 21. -стр. 1281-1285.
- 6. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Воднев А.А. и др. Низкопороговые (j = 230 A/см2, Т = 300 К) AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии. // ФТП. – 1986. – Т. 20, № 2. – стр. 381-383.
- 7. Бутусов Д.М., Гоцадзе Г.Г., Ларионов В.Р. и др. Быстродействующий р-i-n GaAs – AlGaAs фотоприёмники, работающий в вентильном режиме. // Письма в ЖТФ. – 1989. – Т. 15, № 9. – стр. 88-93.
- 8. Султанов А.М. Разработка технологии создания и исследование фотонно-инжекционных коммутаторов на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs. Дисс. на соиск. Учёной степ. канд. физ. – мат. наук. Санкт – Петербург, 1992.